姓名

陈晓芳

性别

女

出生年月

1982.03

学历学位

博士

职称

副教授

导师类型

学术型硕导

电话

15252095993

Email

chenxf@email.tjut.edu.cn

办公室

10-417B

所属学科

物理学

研究

方向

1.低维材料、异质结构

2.自旋电子学

讲授课程： 热力学与统计物理，大学物理、文化物理等

主要项目及代表性成果(包括鉴定项目、论文、专著、获奖、专利等)：

科研项目:

1、国家自然科学基金青年项目“二维过渡金属硫代亚磷酸盐中磁电耦合效应及电场调控谷极化机制的研究”，2019/01-2021/12, 11804127，25万，主持；

2、国家自然科学基金理论物理专款合作研修项目，2014/01-2016/12, 11347005，20万，主持；

3、国家自然科学基金理论物理专款博士启动项目，2013/01-2013/12, 11247205，5万，主持；

4、徐州市科技计划项目“二维谷电子学材料与器件设计”，2017/09-2019/8, KH17019，2万，主持；

5、天津理工大学科研启动经费，2023.10-2028.10，主持。

教学项目：

1、校教改项目：探索理艺文哲多元融合的启智润心之路——《文化物理》课程教学改革，2025.6-2027.6，主持；

2、校“十四五”课程思政研究课题：专业课程融入思政元素的教学设计理念与方法——以《大学物理》为例，2021.11-2023.11，主持。

部分代表性论文:  

1.Linjun Xie, Xiaofang Chen*, and Jingshan Qi*, Tunable multiple-state polarized   antiferromagnets, Physical Review B 112(5), 054420 (2025).

2.Xin Zhang, Xiaofang Chen*, and Jingshan Qi*, Curvature-induced magnetic anisotropy in   two-dimensional magnetic semiconductor CrSBr, Appl. Phys. Lett. 127(5),   052407 (2025).

3.Xiaoxiao Sun, Xiaofang Chen*, and Jingshan Qi*, Tunable trimeric charge density wave phase with   multiferroicity in the two-dimensional transition metal dichalcogenides,   Physical Review B 110(15), 155438 (2024).

4.Li Feng, Xiaofang Chen*, and Jingshan Qi*, Nonvolatile electric field control of   spin-valley-layer polarized anomalous Hall effect in a two-dimensional   multiferroic semiconductor bilayer, Physical Review B, 108（11）, 115407（2023）. 

5.Xunkai Duan, Hua Wang, Xiaofang Chen* and jingshan Qi*, Multiple polarization phases and strong   magnetoelectric coupling in the layered transition metal phosphorus   chalcogenides TMP2X6（T = Cu, Ag;   M = Cr, V; X = S, Se） by controlling the interlayer   interaction and dimension, Physical Review B, 106（11）, 115403（2022）.

6. Dier Feng, Ziye Zhu, Xiaofang Chen* and Jingshan Qi*, Electric-polarization-driven magnetic phase   transition in a ferroelectric–ferromagnetic   heterostructure, Applied Physics Letters 118 （6）, 062903 （2021）.   

7.Yechen Xun, Ziye Zhu, Xiaofang Chen* and Jingshan Qi*, One-dimensional ferromagnetic semiconductor   CrSbSe3 with high Curie temperature and large magnetic anisotropy, Physical   Review B, 104（8）, 085429（2021）.   

8.Xiaofang Chen, Liangshuai Zhong, Xiao Li* and Jingshan Qi*, Valley splitting in   the transition-metal dichalcogenide monolayer via atom adsorption, Nanoscale   9（6）,   2188-2194 （2017）.

9.Liangshuai Zhong, Xiaofang Chen* and Jingshan Qi*, Controlling the spin and valley degeneracy   splitting in monolayer MnPSe3 by atom doping, Physical Chemistry Chemical   Physics, 19（23）, 15388-15393 （2017）.

10.Xiaofang Chen, Jingshan Qi* and Daning Shi, Strain-engineering of magnetic coupling   in two-dimensional magnetic semiconductor CrSiTe3: competition of direct   exchange interaction and superexchange interaction, Physics Letters A, 379（1）,60 （2015）.  

获奖:

1、2018年度教育部高等学校科学研究优秀成果奖自然科学奖一等奖（4/4）,2019.1；

2、2016年江苏省高校自然科学奖三等奖（4/4）: 低维结构材料的力电磁多场耦合性质的研究，2016.9。